高效发光钙钛矿量子点/纳米纤维素复合增强膜的制备与性能研究

摘要

本研究采用热注入法合成策略，以5-溴戊酸（BVA）取代油酸（OA）作为表面配体，在油胺（OLA）的协同作用下，合成得到尺寸均一、形貌可控、高荧光量子产率（PLQY=58.1%）的无机CsPbBr₃钙钛矿量子点（BVA-CsPbBr₃ PQDs）。在此基础上，结合纤维素纳米纤维（CNF）优异的机械性能及多孔结构，制备得到PQDs@CNF复合增强膜，BVA-CsPbBr₃ PQDs均匀分散并被牢固锚定在CNF纤维网络中，有效避免了量子点的团聚，同时增强了PQDs@CNF复合增强膜的机械强度。结果表明，PQDs@CNF复合增强膜具有优异的发光特性和力学性能，不仅保留了BVA-CsPbBr₃ PQDs原有的高光致发光强度，还因结合了CNF，具备良好的环境适应性和稳定性。

关键词

钙钛矿量子点; 纳米纤维素; 光致发光量子产率; 荧光强度

金属卤化物钙钛矿量子点（PQDs）是一种新型光电纳米材料，通常具有ABX₃晶体结构。其中，A为一价阳离子，如甲胺离子（MA⁺）、甲脒离子（FA⁺）和铯离子（Cs⁺）等；B为二价金属阳离子，如铅离子（Pb²⁺）、锗离子（Ge²⁺）和锡离子（Sn²⁺）等；X为卤化物阴离子，如氯离子（Cl^-）、溴离子（Br^-）和碘离子（I^-）等。PQDs因具有高荧光量子产率、窄光致发光峰（半峰宽约15~40 nm^［1］）、可谐调光谱、高载流子迁移率及长载流子寿命等优点，受到了广泛关注，并在发光二极管（LEDs）^［2-3］、背光显示^［4］、太阳电池^［5-6］、激光^［7］、光电探测器^［8］、催化^［9］和储能^［10］等领域展现出较好的应用前景。然而，由于PQDs的形成能较低，对外界环境极其敏感，当其暴露在热、光、水分和氧气等条件下时，PQDs晶体结构容易发生变形和坍塌，导致材料性能衰退。因此，选择合适的封装材料是提高PQDs荧光性能和稳定性的有效策略之一。

纤维素是自然界中最丰富的生物质高分子聚合物^［11］，广泛存在于高等植物（如棉花、木材、竹）、海生动物（如被囊类动物），以及少部分的藻类、真菌和细菌等生物资源中^［12］。纳米纤维素是指长度或直径为纳米尺度的纤维素，可根据来源、尺寸和形貌的不同分为纤维素纳米纤维（CNF）、纤维素纳米晶体（CNC）和细菌纤维素（BC）。CNF是指直径<100 nm、长度>500 nm，具有高长径比的一维细丝状纳米纤维^［13-15］。现阶段，以CNF为原料制备的CNF基膜材料^［16］、CNF基纤维材料^［17］及CNF基水凝胶^［18］/气凝胶^［19］材料均展现出优良性能，在污水处理^［20］、隔热^［21］、生物医药^［22］、储能^［23］及电磁屏蔽^［24］等领域具有广阔的应用前景。

为探究CNF用于封装PQDs的可行性，本研究以5-溴戊酸取代传统的油酸，在油胺的协同作用下，采用热注入法合成具有高荧光量子产率的PQDs，并通过优化PQDs表面配体以提高材料性能。在此基础上，将CsPbBr₃ PQDs掺杂到CNF中，利用CNF的羟基对PQDs进行表面修饰，制备PQDs@CNF复合增强膜。通过化学结构、微观形貌、力学强度等性能的表征分析，探究PQDs@CNF复合增强膜的发光特性和机械性能，以期为高性能光电子器件的开发提供参考。

1 实 验

1.1　实验试剂及原料

溴化铅（PbBr₂，分析纯）、5-溴戊酸（BVA，分析纯）、油胺（OLA，纯度80%~90%），上海阿拉丁生化科技有限公司；溴化铯（CsBr，分析纯）、溴化铅（PbBr₂，分析纯），西安宝莱特光科技有限公司；油酸（OA，分析纯），N，N-二甲基乙酰胺（DMA，分析纯），天津市大茂化学试剂厂；纤维素纳米纤维（CNF），天津市木精灵生物科技有限公司；尼龙滤膜（孔隙直径0.05 µm），海宁市海昌益博过滤器材有限公司。

1.2　实验仪器

集热式恒温加热磁力搅拌器（DF-101S），巩义市予华仪器有限责任公司；台式离心机（DT5-1型），北京时代北制离心机有限公司；循环水式多用真空泵（SHB-Ⅲ），郑州长城科工贸有限公司；纸页成型器（TD10-200），咸阳通达轻工设备有限公司；无油空气压缩机（3ZWB-700-70L），浙江罗迪机电科技有限公司；数控超声波清洗器（KQ-800DE），昆山市超声仪器有限公司；傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR，Vertex 70），布鲁克北京科技有限公司；X射线衍射仪（XRD，D8 Advance A25），布鲁克北京科技有限公司；荧光光谱仪（FS5），爱丁堡仪器有限公司；场发射扫描电子显微镜（FESEM，SU-8100），泰思肯上海有限公司；能谱仪（EDS，Octane Prime），美国伊达克斯有限公司；激光扫描共聚焦荧光显微镜（LSCM，LSM800），卡尔蔡司；伺服控制高低温拉力试验机（AI-7000-NGD），天津高特威尔检测仪器有限公司

1.3　实验方法

1.3.1　CsPbBr₃ PQDs的合成

CsPbBr₃ PQDs的全合成过程均在空气中完成，未使用任何惰性气体。将0.2 mmol PbBr₂和0.2 mmol CsBr加入装有5 mL DMA的三颈烧瓶中，加热至70 ℃后磁力搅拌50 min；将1 mmol BVA表面配体和1 mmol OLA快速连续加入上述混合液中，在70 ℃条件下继续加热并搅拌15 min，使配体充分反应，得到前驱体溶液；将1 mL前驱体溶液快速注入10 mL去离子水中，混合均匀后在4000 r/min下离心10 min，固液分离后的上清液再以5000 r/min离心15 min，二次离心所得上清液即为BVA-CsPbBr₃ PQDs分散液，储存备用。

采用相同方法，将1 mmol BVA表面配体替换为1 mmol OA，合成OA-CsPbBr₃ PQDs；不添加表面配体，合成纯相CsPbBr₃ PQDs。

通过改变反应温度，探究反应温度对BVA-CsPbBr₃ PQDs合成的影响，反应温度设置为30、50、70、90和110 ℃。

1.3.2　CNF分散液的制备

将CNF分散于去离子水中，配制得到质量分数1.22%的CNF分散液，超声10 min，磁力搅拌2 h，低温下储存备用。

1.3.3　PQDs@CNF复合增强膜的制备

将BVA-CsPbBr₃ PQDs与CNF分散液混合，经超声分散后，得到BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量（相对于固形物绝干总质量）分别为15%、20%、25%、30%和35%的PQDs/CNF混合液。通过0.05 µm尼龙滤膜对其进行真空过滤，再置于60 ℃下热压干燥，得到PQDs@CNF复合增强膜。采用相同方法，不掺杂BVA-CsPbBr₃ PQDs，制备CNF薄膜。

1.4　性能测试与表征

1.4.1　化学结构测定

通过FT-IR测定PQDs@CNF复合增强膜与CNF薄膜的化学结构，探究CsPbBr₃ PQDs与CNF的作用机理，扫描范围4000~400 cm^-1，扫描10次。

采用XRD测定PQDs@CNF复合增强膜与CNF薄膜的结晶结构及物相特征，扫描范围2θ=5°~60°。

1.4.2　表面形貌表征

对PQDs@CNF复合增强膜表面进行喷金处理，加载电压5 kV，调整FESEM的放大倍率，观察复合增强膜样品的表面形貌，并使用EDS分析其表面元素含量及分布。

1.4.3　发光特性测定

采用荧光光谱仪测定CsPbBr₃ PQDs的荧光量子产率（PLQY，以去离子水为参比）、光致发光（PL）光谱、时间分辨荧光衰减（TRPL）曲线，以及PQDs@CNF复合增强膜的荧光强度和PL光谱，扫描范围370~600 nm，激发波长390 nm。

采用LSCM对PQDs@CNF复合增强膜进行荧光表征，探究其表面的荧光量子点分布情况。测试时，复合增强膜样品须平整粘贴在玻璃片上进行扫描观察，激发波长400~500 nm。

1.4.4　力学性能分析

通过伺服控制高低温拉力试验机测量PQDs@CNF复合增强膜的机械性能，试样尺寸10 mm×30 mm，厚度0.08~0.12 mm，拉伸速率2 mm/min。每组试样平行测定3次，结果取平均值。

2 结果与讨论

2.1　表面配体对CsPbBr₃ PQDs性能的影响

不同表面配体合成的CsPbBr₃ PQDs性能表征见图1。如图1（a）~图1（c）所示，相比于以OA为表面配体的OA-CsPbBr₃ PQDs，BVA-CsPbBr₃ PQDs具有较高的光致发光强度和荧光量子产率（PLQY），BVA-CsPbBr₃ PQDs的PLQY为58.1%，这是因为BVA中的羧基与CsPbBr₃ PQDs表面的金属离子可以形成更强的配位键。此外，Br原子的加入使得表面配体电子云密度增大，BVA与金属离子的配位作用增强，从而使其更紧密地结合在CsPbBr₃ PQDs表面，钝化了量子点表面缺陷。

图1  (a) BVA-CsPbBr₃ PQDs和OA-CsPbBr₃ PQDs的PL光谱；(b) BVA-CsPbBr₃ PQDs和(c) OA-CsPbBr₃ PQDs的PLQY；(d) BVA-CsPbBr₃ PQDs和OA-CsPbBr₃ PQDs的PL寿命衰减曲线；(e) BVA-CsPbBr₃ PQDs和纯相CsPbBr₃ PQDs的XRD谱图

Fig.1  (a) PL spectra of BVA-CsPbBr₃ PQDs and OA-CsPbBr₃ PQDs; fluorescence quantum yields of (b) BVA-CsPbBr₃ PQDs and (c) OA-CsPbBr₃ PQDs; (d) PL lifetime decay curves of BVA-CsPbBr₃ PQDs and OA-CsPbBr₃ PQDs; (e) XRD patterns of BVA-CsPbBr₃ PQDs and pure-phase CsPbBr₃ PQDs

上述结果可通过时间分辨荧光衰减（TRPL）曲线进一步证实。TRPL曲线拟合可由式（1）所示的双指数衰减函数$f(t)$计算得到，载流子平均寿命（τ_av）的计算如式（2）所示^［25-26］，拟合参数见表1。

$$f(t)=A_{\mathrm{1}}\mathrm{e}\mathrm{x}\mathrm{p}\left(-t/{\tau }_{\mathrm{1}}\right)+A_{\mathrm{2}}\mathrm{e}\mathrm{x}\mathrm{p}\left(-t/{\tau }_{\mathrm{2}}\right)$$

（1）

$${\mathrm{\tau }}_{\mathrm{a}\mathrm{v}}=\frac{\sum A_i{{\tau }_i}^{\mathrm{2}}}{\sum A_i{\tau }_i}$$

（2）

式中，t为衰减时间；${\tau }_{\mathrm{1}}$、${\tau }_{\mathrm{2}}$分别为快衰减和慢衰减寿命，τ_av为载流子平均寿命（ns）；A₁、A₂为相应的衰减振幅。

表1  BVA-CsPbBr₃ PQDs和OA-CsPbBr₃ PQDs的TRPL拟合参数

Table 1  TRPL fitting parameters of BVA-CsPbBr₃ PQDs and OA-CsPbBr₃ PQDs

量子点	τ1/ns	A1	τ2/ns	A2	τav/ns
BVA-CsPbBr3 PQDs	29.36	0.09	252.02	0.07	223.68
OA-CsPbBr3 PQDs	24.40	0.09	182.87	0.08	162.87

如图1（d）和表1所示，BVA-CsPbBr₃ PQDs的荧光寿命优于OA-CsPbBr₃ PQDs，τ_av可达223.68 ns。如图1（e）所示，XRD谱图中BVA-CsPbBr₃ PQDs的衍射峰与纯相CsPbBr₃ PQDs一致^［27］，其特征衍射峰主要对应（100）（110）（111）（200）（210）（211）（220）和（310）晶面，这表明以BVA代替OA作为合成CsPbBr₃ PQDs的表面配体，其晶体结构未受影响。

2.2　反应温度对BVA-CsPbBr₃ PQDs荧光特性的影响

图2为不同反应温度下合成的BVA-CsPbBr₃ PQDs的自然光与紫外灯（365 nm）照射照片。如图2（a）所示，在自然光照射下，各组BVA-CsPbBr₃ PQDs均表现为淡绿色，其中70 ℃下合成的BVA-CsPbBr₃ PQDs颜色更深；如图2（b）所示，在365 nm的紫外灯照射下，70 ℃合成的BVA-CsPbBr₃ PQDs发出的荧光更强。不同反应温度下合成的BVA-CsPbBr₃ PQDs的的PL光谱见图3。如图3所示，随着反应温度的适当升高，BVA-CsPbBr₃ PQDs的荧光强度也随之升高。当反应温度为70 ℃时，BVA-CsPbBr₃ PQDs的荧光强度达到最高，最大发射波长位于518 nm处；但随着反应温度持续上升，BVA-CsPbBr₃ PQDs的荧光强度开始呈下降趋势，当反应温度达110 ℃时，BVA-CsPbBr₃ PQDs的荧光强度最低，且可观察到最大发射波长发生红移。这可能是因为高温加剧了BVA-CsPbBr₃ PQDs表面的原子或基团发生热振动，使得量子点表面产生更多缺陷^［27］，导致荧光强度降低。综上，70 ℃为BVA-CsPbBr₃ PQDs合成的最佳反应温度。

图2  不同反应温度下合成所得BVA-CsPbBr₃ PQDs的照射照片

Fig. 2  Photographs of BVA-CsPbBr₃ PQDs synthesized at different reaction temperatures

图3  不同反应温度下合成所得BVA-CsPbBr₃ PQDs的PL光谱

Fig. 3  PL spectra of BVA-CsPbBr₃ PQDs synthesized at different reaction temperatures

2.3　BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量对PQDs@CNF复合增强膜的影响

在自然光和紫外灯（365 nm）照射下观察不同PQDs@CNF复合增强膜，探究BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量对PQDs@CNF复合增强膜荧光特性的影响，结果见图4。如图4所示，在365 nm紫外光激发下，BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量为30%的PQDs@CNF复合增强膜荧光特性最好；而BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量为35%时，PQDs@CNF复合增强膜荧光特性有所下降。不同BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量的PQDs@CNF复合增强膜的PL光谱见图5。如图5所示，随着BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量的适当增加，PQDs@CNF复合增强膜的荧光强度随之增加。当BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量达30%时，所制备PQDs@CNF复合增强膜的荧光强度最高。然而，随着BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量继续增加，PQDs@CNF复合增强膜的荧光强度有所下降，与图4结论相符。这是因为当量子点含量过高时，BVA-CsPbBr₃ PQDs易发生团聚，从而导致PQDs@CNF复合增强膜荧光强度下降。

图4  不同BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量PQDs@CNF复合增强膜的照射照片

Fig. 4  Photographs of PQDs@CNF composite reinforced films with different BVA-CsPbBr₃ PQDs doping amounts

图5  不同BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量PQDs@CNF复合增强膜的PL光谱

Fig. 5  PL spectra of PQDs@CNF composite reinforced films with different BVA-CsPbBr₃ PQDs doping amounts

2.4　PQDs@CNF复合增强膜的化学结构

图6为PQDs@CNF复合增强膜和CNF薄膜的FT-IR谱图。如图6所示，2种薄膜的FT-IR吸收峰相似，均具有纤维素特征峰，表明BVA-CsPbBr₃ PQDs的掺杂并不会改变纤维素的化学结构。3340 cm^-1处的宽峰归属于O—H的伸缩振动^［28］，表明纤维素表面的羟基与钙钛矿中的Pb²⁺相结合；2900 cm^-1处的峰为N—H的伸缩振动吸收峰，证明BVA-CsPbBr₃ PQDs与CNF成功复合；1340 cm^-1处的C—H弯曲振动吸收峰来源于BVA和OLA的烃链^［27］。此外，1000 cm^-1处吸收峰的峰位发生了轻微蓝移，这是因为钙钛矿中Br原子的电负性较大，与C原子形成C—Br（对应550 cm^-1处的吸收峰），使得相邻C—C的电子云向Br原子偏移，从而使C—C的峰位发生蓝移。

图6  PQDs@CNF复合增强膜和CNF薄膜的FT-IR谱图

Fig. 6  FT-IR spectra of PQDs@CNF composite reinforced film and CNF film

通过XRD对PQDs@CNF复合增强膜、CNF薄膜的晶体结构进行探究，结果如图7所示。从图7可以看出，CNF薄膜在2θ=15°和22°处有2个衍射峰，分别对应（100）和（200）晶面；PQDs@CNF复合增强膜在2θ=15°、22°、27°、29°、34°、37°和42°附近有不同的衍射峰，分别对应（100）（110）（111）（200）（210）（211）和（220）晶面，表明含有无机卤化物的BVA-CsPbBr₃ PQDs呈立方结构^［29］，证实了其存在于PQDs@CNF复合增强膜中。图8为PQDs@CNF复合增强膜的SEM及元素分布图，图9为其激光扫描共聚焦显微镜（LSCM）图。如图8和图9所示，Cs、Pb、Br 3种元素在PQDs@CNF复合增强膜表面均匀分布，且荧光图像进一步证实了BVA-CsPbBr3 PQDs已均匀掺杂到CNF薄膜中。

图7  PQDs@CNF复合增强膜和CNF薄膜的XRD谱图

Fig. 7  XRD patterns of PQDs@CNF composite reinforced film and CNF film

图8  PQDs@CNF复合增强膜的SEM及元素分布图

Fig. 8  Images of SEM and elemental distribution mapping of PQDs@CNF composite reinforced film

图9  PQDs@CNF复合增强膜的LSCM图

Fig. 9  Laser scanning confocal microscope images of PQDs@CNF composite reinforced film

2.5　PQDs@CNF复合增强膜的微观形貌

图10为PQDs@CNF复合增强膜在不同放大倍率下的SEM图。如图10（a）所示，在低放大倍率下，PQDs@CNF复合增强膜的CNF纤维分布较为均匀，CNF纤维之间相互交错，形成多孔的网络结构，该结构有助于BVA-CsPbBr₃ PQDs附着在CNF纤维上。进一步可以观察到，细长的CNF纤维相互缠绕（图10（b）），这有助于增强PQDs@CNF复合增强膜的机械强度。PQDs@CNF复合增强膜中的CNF纤维表面细节如图10（c）和图10（d）所示。从图10（c）和图10（d）可以看出，在高放大倍率下，CNF纤维的微观形貌更为清晰，可观察到CNF纤维表面的细小孔洞及附着物，这些孔洞可有效促进CNF纤维网络对BVA-CsPbBr₃ PQDs的包覆，使量子点均匀分散并被牢固锚定在CNF基质中，从而避免其团聚。

图10  PQDs@CNF复合增强膜在不同放大倍率下的SEM图

Fig. 10  SEM images of PQDs@CNF composite reinforced film at different magnification

2.6　PQDs@CNF复合增强膜的稳定性

为探究PQDs@CNF复合增强膜的稳定性，将其置于温度25 ℃、相对湿度35%~40%的条件下，观察荧光强度随时间衰减的变化，并以相对荧光强度表示其相对于初始荧光强度的百分比，结果见图11。如图11所示，PQDs@CNF复合增强膜在放置200 h后，仍可保持初始荧光强度的70%，这可能是因为BVA提供的羧基配体和OLA提供的长链胺在BVA-CsPbBr₃ PQDs表面形成了疏水层，有效提高了量子点的稳定性^［28］；此外，CNF纤维网络的多孔结构能够对BVA-CsPbBr₃ PQDs进行有效包覆，从而提高了PQDs@CNF复合增强膜的稳定性。

图11  PQDs@CNF复合增强膜的相对荧光强度随时间衰减图

Fig. 11  Relative fluorescence intensity attenuation image over time of PQDs@CNF composite reinforced film

2.7　PQDs@CNF复合增强膜的力学性能

不同BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量PQDs@CNF复合增强膜的力学性能见图12。如图12（a）所示，随着BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量适当增加（15%~25%），PQDs@CNF复合增强膜的拉伸断裂应力由11.5 MPa提高至14.8 MPa；但当BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量增至30%时，PQDs@CNF复合增强膜的拉伸断裂应力出现下降，甚至低于CNF薄膜。这表明BVA-CsPbBr₃ PQDs的掺杂量在15%~25%范围内时，PQDs@CNF复合增强膜的机械强度能得到有效提高^［30］，这归因于BVA-CsPbBr₃ PQDs与CNF的纤维素分子链间的氢键作用。但BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量过高，量子点会发生团聚，当PQDs@CNF复合增强膜受到外力作用时，团聚的量子点会使薄膜应力集中并发生断裂。如图12（b）所示，PQDs@CNF复合增强膜的杨氏模量也具有相似趋势，当BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量为25%时，PQDs@CNF复合增强膜的杨氏模量为3.05 GPa，是BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量为15%时的1.93倍。这是因为BVA-CsPbBr₃ PQDs中的Pb²⁺与CNF的纤维素羟基发生相互作用，在CNF表面形成较强的界面结合力，使得PQDs@CNF复合增强膜的杨氏模量有所提高；但当BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量>25%时，BVA-CsPbBr₃ PQDs发生部分团聚，破坏了CNF纤维网络的结构均匀性，导致PQDs@CNF复合增强膜的杨氏模量下降。

图12  不同BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量PQDs@CNF复合增强膜的力学性能

Fig. 12  Mechanical properties of PQDs@CNF composite reinforced films with different BVA-CsPbBr₃ PQDs doping amounts

3 结论

本研究采用热注入法，以5-溴戊酸（BVA）代替传统油酸（OA）作为表面配体，成功合成具有高发光效应和尺寸均一的无机CsPbBr₃钙钛矿量子点（BVA-CsPbBr₃ PQDs），并进一步探究了合成过程中反应温度对量子点荧光特性的影响。在此基础上，将所合成的BVA-CsPbBr₃ PQDs与纤维素纳米纤维（CNF）复合，制备PQDs@CNF复合增强膜，并对其进行系统的形貌表征与结构分析，探究了BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量对复合增强膜荧光特性和力学性能的影响。

3.1 以BVA为表面配体合成BVA-CsPbBr₃ PQDs，其量子荧光产率（PLQY）可达58.1%，载流子平均寿命（τ_av）为223.68 ns，光学性能优于使用传统OA制备的OA-CsPbBr₃ PQDs（PLQY=40%，τ_av=162.87 ns）。

3.2 PQDs@CNF复合增强膜的荧光强度与BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量密切相关；当BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量为30%时，PQDs@CNF复合增强膜的荧光强度最佳，但当BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量过高时，量子点容易发生团聚，导致PQDs@CNF复合增强膜荧光强度下降。

3.3 BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量会影响PQDs@CNF复合增强膜的力学性能；当BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量为25%时，PQDs@CNF复合增强膜的机械性能最佳，拉伸断裂应力可达14.8 MPa，高于未掺杂的CNF薄膜（11.5 MPa）；杨氏模量达3.05 GPa，是BVA-CsPbBr₃ PQDs掺杂量为15%时的1.93倍。

3.4 通过将合适掺杂量的BVA-CsPbBr₃ PQDs均匀分散并牢固锚定在CNF纤维网络中，可有效避免量子点团聚。采用CNF进行封装的PQDs@CNF复合增强膜具有优异的发光性能，在温度25 ℃、相对湿度30%~40%条件下能够保持良好的稳定性，放置200 h后仍能保持初始荧光强度的70%。